四川大学微电子2022级大三下期末考试植树
IC设计基础 1.五管OTA小信号电路+增益求解 2.绘制二级运放中宽长比为100:1的输入对管的版图，同时标清楚每个layer的含义 3.通过CMOS工艺图和寄生等效放大电路图简述闩锁效应的成因，以及如何减小闩锁效应的方法 4.对如下对称OTA电路根据功能划分模块 5.画出如下版图对应的如箭头方向的完整剖面图，并解释为什么多晶硅可以在黑框处跨越N阱 集成电路原理(数集) 一、名词解释45分/5分 1. 等比例缩小定律是什么，请描述你对其的理解 不知道是不是scale down的意思，在保障逻辑功能无误的情况下，先进工艺可以实现更好的能效比和性能。 2. 集成电路与电子线路的区别 3. PN结隔离介质中n+掩埋层的作用 4. 什么是平面工艺 5. 请用CMOS实现与非门，画出电路及版图 6. 什么是有比反相器与无比反相器 7. 对于与非门，若想实现最高噪声容限，则如何设计nmos、pmos的宽长比 考虑n个cmos串联的等效 Kn′ 与单个pmos的 Kp 相等即可。 8. 触发器、寄存器、锁存器的区别 9....
CCLiu 论文研读
CCLiu 论文研读 SAR ADC 技术点迭代 Non-binary 传统二进制搜索算法的 CDAC 的 settling time 与分辨率成正比，很难将速度提上去。 请教一个关于 SARADC 的非二进制电容阵列的问题 - eetop 电容的 mismatch 带来错误的 charge redistribution 后的电压；transistor pair 的 mismatch 带来比较器的 offset，带来错误的比较结果。常用如下静态参数来衡量 ADC：微分非线性(Differential nonlinearity , DNL)、积分非线性(Integral nonlinearity , INL)、offset error、gain error。 DNL 对于理想 ADC，其输出码没变化一次，输入信号理想应增加 1LSB，但实际可能不是 1LSB，这就是微分非线性： DNL(i)=Vin(i+1)−Vin(i)VLSB−1\begin{aligned} DNL(i) = \frac{V_{in}(i+1) - V_{in}(i) }{V_{LSB}} -...
两级运放调参总结
调参思路 该文旨在记录笔者调节两级运放时的一些note，可能有些乱，请见谅。 两级运放的性能参数 以常见的五管OTA+共源极组态为例 性能指标要求 调整增益Av 首先对于五管OTA的结构，在正常工作在饱和区下，其增益在40dB-47dB左右，很难获得更高的增益。因为我们的目标是80dB的Av，因此我们需要调整后第二级的共源极组态偏置，目标是实现39dB以上的增益，注意在Virtuoso仿真的ADE(L)窗口中测试Av2时要注意不能直接按下面这种写法： 1value(dB20(mag(v("/I10/net17" ?result "ac"))) 1) 因为我们是在Vip和Vin之间加1V的交流分量来测试的Av1、Av2、Av；如果我们按上面这种写法其实测量的是Av，如果我们想同时分析Av2，需要按照下方这种写法来处理： 1dB20((value(mag(v("/net06" ?result "ac")) 1) / value(mag(v("/I10/net17"...
切比雪夫滤波器阶数计算器
切比雪夫滤波器阶数计算器 tailwind.config = { theme: { extend: { colors: { primary: '#3B82F6', secondary: '#10B981', accent: '#6366F1', dark: '#1E293B', light: '#F8FAFC' }, fontFamily: { sans: ['Inter', 'system-ui',...
比较器offset论文研读
比较器offset论文研读 笔者最近在做比较器的相关电路，需要仿真offset，如果 VFS=1VV_{FS}=1VVFS=1V ，并且是10Bits的ADC的话，则要求offset满足 VOS<12LSB=0.48mVV_{OS}<\frac{1}{2}LSB=0.48mVVOS<21LSB=0.48mV 。因此仿真计算比较器的offset有重大意义。 遗憾的是笔者在某宝买的虚拟机没有mis模型，跑不了蒙卡，因此笔者也就萌生出了手算offset的想法，故也就有了本文。 offset定义 offset定义：当比较器输出达到 VDD2\frac{V_{DD}}{2}2VDD 时，输入端 VinV_{in}Vin 和 VipV_{ip}Vip 的差值。 首先offset由系统失配和随机失配带来。系统失配指的是电路本身设计所带来的，如下图所示： 系统失配 在图1的二级运放电路图中我们需要保证M3、M4、M6的 VGSV_{GS}VGS 一致，即若实际直流工作点存在偏差的话则会贡献有一部分offset，本文重点分析random...
博客版本迭代汇总
版本更新信息如下： V0.1 2024.11.14 博客正式上线，基于GitHubpages搭建 V0.2 2024.12.15 博客的评论系统由gittalk切换为twikoo，并且部署在Vercel平台实现CDN加速。 V0.2.1 2024.12.21 增加links页面，推荐优秀的博客和网站；同时增加文章置顶功能，参考文章 2025年1月11日 增加pdf插入功能，next主题自带的pdf插入功能在about界面效果良好，但在博客文章界面效果一般，故根据纸鹿哥的建议，我采用iframe方式实现pdf嵌入功能: 123<div class="pdf-container"> <iframe src="/lib/pdf/last_question_of_analog_IC_quiz.pdf" width="100%" height="800"...
为什么考虑了MOS管的体效应后，其小信号模型电阻减小？
提问： 为什么考虑了MOS管的体效应后，其小信号模型电阻减小？ 我的思考 在MOS管模型中，体效应是等效为了一个独立电流源，大小为: I=gmbVBS\begin{aligned} I = g_{mb} V_{BS} \end{aligned}I=gmbVBS 同时它的效果在小信号模型中也能用一个线性电阻表示,因此与原来的VCCS的ReqR_{eq}Req形成并联结构，对外
四川大学微电子2022级大三上期末考试植树
模拟集成电路期末复盘 ppt中的一些英文单词(12分) 简答题 二、对于半导体物理、半导体器件、半导体工艺、模拟集成电路四门课程之间的思考(8分) 三(每个6分，共48分) 1.nmos和pmos的区别，请画出结构示意图 2.有源极负反馈的共源极放大电路与源跟随器之间的对比 3.共源极放大电路中二极管连接型负载和电流源负载的对比 4.差分对和单端工作模式之间的比较，为何尾部要采用尾管电流源 5.电流镜的工作原理及任意倍数参考电流复制在版图中的实现 6.沟道噪声、热噪声，闪烁噪声及其大小 7.我们能从传输函数获得哪些信息？ 8.负反馈的缺点，为什么要引入负反馈 三、考虑沟道长度调制效应、体效应的带源极负反馈的共源极放大电路的增益及输出电阻求解 四、小测最后一题变形 模集小测最后一题解析by MeiShao 所需要认识和了解的单词举例: 英文术语 中文翻译 英文术语 中文翻译 英文术语 中文翻译 aspect ratio 宽长比 back-gate effect 背栅效应 capacitive coupling 电容耦合 a...
50个问题回顾IC制造
本文是笔者复习半导体材料及IC工艺原理（双语）课程时的复习笔记，参考教材是半导体制造技术导论：第2版 (萧宏)，授课老师是马瑶老师。 1. 为什么有工艺漂移？ 在工艺还未成熟或新引进了一组新的仪器设备时，整体的成品率不会很高。但随着生产的进行，降低成品率的因素被发现并通过及时地纠正，成品率会不断上升然后达到稳定。 2. 为什么晶目前主流的晶圆尺寸均被限制在了12 inchs? 简单来看，在相同的缺陷密度下，越大的晶圆面很会导致更多的缺陷带来更低的成品率，同时wafer尺寸的增加相应地也要求工艺处理设备的更新迭代，这在经济成本上是具有挑战的，结合产业、成品率及经济性分析，12英寸是一个主流的大尺寸圆元面积。 3. 为什么现代工艺使用垂直式扩散炉替代旧式的水平扩散炉 水平扩散炉易出现中心热点温度过高且管壁上碎屑掉落污染wafer，故而引入垂直式扩散炉，以保证至多只有顶部1片wafer被污染且各片wafer加热均匀；同时垂直式扩散炉占地面积比能处理大量晶圆；均匀性好且纤维修成本低； 4....
2024年度总结
2024年度总结 该文为meishao的2024年年度总结，成文于2024年12月31日， 祝福 正值2024年跨年之际，预祝各位2025年万事如意，心想事成，阖家幸福，平平安安！ 2024年回顾 值得一提的是，去年2023年12月31号时笔者还在积极复习模电，并于当天完成了模电的复习然后回到寝室开始发祝福哈哈😄 2024春夏 紧张备战期末周，然后放假回家过年。同时积极撰写概率统计、数学物理方法的复习笔记。 2024年的春节是2024年2月10日。春节回到老家，发现一切已经大变样了，繁华的街道、古朴的装饰但不变的还是那条小巷子以及巷子中姥姥的小院。奶奶的家里过年间积了很多雪，行动以及上卫生间都很不方便，希望自己以后可以作点什么来改变这些。 过年的时间是短暂且美好的，转眼间就到了春季学期开学。开学后回到学校约XuanShao出去city walk...
